基本上無限的耐久性；

低電壓就能實(shí)現(xiàn)高速度；

對 CMOS 友好。

 

1T-1MTJ pSTT-MRAM  架構(gòu)，來自 GlobalFoundries

 

但 STT-MRAM 也面臨著以下難題：

 

復(fù)雜的薄膜堆疊方式；

較窄的傳感區(qū)間

回流焊接滯留

 

但 Everspin 已經(jīng)銷售 MRAM 一段時間了，其中包括一款 256 Mb 的 perpendicular STT-MRAM。這款產(chǎn)品基于其代工合作伙伴 GlobalFoundries 的 40nm 工藝。Everspin 正在抽樣生產(chǎn)基于 28nm 的 1 Gb 部件。

 

作為與 Everspin 的授權(quán)交易的一部分，GlobalFoundries 正在為其即將到來的 22nm FD-SOI 平臺開發(fā)嵌入式 STT-MRAM。這家代工廠還計劃之后繼續(xù)為其 12nm FD-SOI 工藝以及 14nm 和 7nm finFET 工藝開發(fā)嵌入式 MRAM。

 

GlobalFoundries 很快就會有其它伙伴了。三星、臺積電和聯(lián)電都各自在為自己的嵌入式客戶開發(fā)這項技術(shù)。三星有自己的 IP，其它幾家則在于各種伙伴合作。

 

從 Everspin 的立場來看，這家公司可能很歡迎競爭。“從我們的角度看，這都很有好處。”Everspin 的 LoPresti 說，“這證明了這個產(chǎn)業(yè)。這也將加速實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)設(shè)備的規(guī)模經(jīng)濟(jì)。如果（代工廠）要推出 MRAM，那就意味著它們會向生產(chǎn)工具的公司要求能實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量和投資回報率的生產(chǎn)工具。”

 

除了 Everspin 和代工廠，英特爾、美光和東芝-SK海力士組合都有在 MRAM 方面的研發(fā)投入。同時，Avalanche、Crocus 和 Spin Transfer Technologies 等幾家創(chuàng)業(yè)公司也在開發(fā)這項技術(shù)。

關(guān)鍵詞：Everspin    STT-MRAM

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