案例&資訊
下一代內(nèi)存是什么？
來源：宇芯有限公司 日期：2018-01-15 16:06:25
從上世紀90年代開始，MRAM 就是研發(fā)人員一直致力研發(fā)的幾種下一代內(nèi)存技術(shù)類型之一，這些都是能提供無線耐久性的非易失性技術(shù)。和閃存一樣，它們可以在系統(tǒng)電源關(guān)閉之后保留數(shù)據(jù)。反之，DRAM 是易失性的，在斷電后會丟失數(shù)據(jù)，雖然里面的信息會在斷電之前遷移到存儲設(shè)備中。
關(guān)鍵詞：MRAM
上一篇：ST-MRAM崛起，新存儲時代開啟？
除了 MRAM 之外，其它下一代內(nèi)存技術(shù)包括碳納米管 RAM、鐵電 RAM（FRAM）、相變 RAM、和電阻 RAM（ReRAM）。
碳納米管 RAM 使用納米管在器件中形成電阻狀態(tài)。而 FRAM 使用鐵電電容器（ferroelectric capacitor）來存儲數(shù)據(jù)。來自英特爾和美光的 3D XPoint 技術(shù)就是下一代相變內(nèi)存的一種。另一種技術(shù) ReRAM 則基于電阻元件構(gòu)成的電子開關(guān)。
盡管這些技術(shù)很有希望能在市場上流通，但其中很多技術(shù)所需的開發(fā)時間超過了預期所想。聯(lián)電（UMC）嵌入式非易失性內(nèi)存助理副總裁 Yau Kae Sheu 說：“這些全新的內(nèi)存技術(shù)大部分都已經(jīng)研發(fā)了非常長的一段時間了，但和傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)競爭時，它們還是在成本和可擴展性上明顯不足。”
顯而易見的是，DRAM、閃存和 SRAM 等傳統(tǒng)內(nèi)存還是市場上的主力技術(shù)。在當今系統(tǒng)中的內(nèi)存層次結(jié)構(gòu)中，SRAM 在處理器中被用作實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)存取的緩存。DRAM 是下一層，用作主內(nèi)存。而磁盤驅(qū)動器和基于 NAND 的固態(tài)存儲驅(qū)動器（SSD）則用在存儲上。
現(xiàn)在的內(nèi)存市場發(fā)展得如火如荼，尤其是3D NAND。Tokyo Electron Ltd.（TEL）總裁兼首席執(zhí)行官 Toshiki Kawai 在最近一場演講中說：“推動力來自數(shù)據(jù)中心對 SSD 的需求。”
這也增長了對晶圓廠設(shè)備（WFE）的需求。Kawai 說：“受對下一代 3D NAND 和先進邏輯的投資推動，2017 年 WFE 資本性支出同比增長 10% 以上。”
與此同時，幾種下一代內(nèi)存類型也開始迎來發(fā)展勢頭。目前，3D XPoint 和 STT-MRAM 可能發(fā)展勢頭最好，而碳納米管 RAM、FRAM 和 ReRAM 尚待羽翼豐滿。
這些技術(shù)中大部分甚至全部都很可能找到某種程度的應用空間。但是沒有任何一種單一的技術(shù)能夠滿足所有需求。Coventor 首席技術(shù)官 David Fried 說：“現(xiàn)在有ReRAM、PCM、3D XPoint 和 STT-MRAM，哪種技術(shù)會是脫穎而呢？它們都可能在特定的應用中找到自己發(fā)光發(fā)熱的位置。”
比如說 MRAM 就已經(jīng)找到了自己的市場位置。在傳統(tǒng)內(nèi)存中，數(shù)據(jù)以電荷的形式存儲。而 MRAM 則使用磁隧道結(jié)（MTJ）內(nèi)存單元作為存儲元件。Everspin 總裁兼首席執(zhí)行官 Phillip LoPresti 說：“我們使用磁性或操控電子自旋來控制位（bit）的電阻，這讓我們可以編程 1 和 0。”
Everspin 的第一款 MRAM 器件稱為 toggle MRAM，面向基于 SRAM的電池備份市場。然而今天內(nèi)存行業(yè)重點關(guān)注的下一代技術(shù)名叫 perpendicular STT-MRAM 或 ST-MRAM。
Applied Materials 的 Silicon Systems Group 內(nèi)存和材料總經(jīng)理 Er-Xuan Ping 說：“STT-MRAM 使用直接穿過該單元的電流。它使用自旋極化的電流，從而可以基本上迫使該薄膜中的磁化強度發(fā)生改變。”
toggle MRAM 在這一領(lǐng)域得到了廣泛的應用，但它們也有一些擴展方面的局限性。“STT-MRAM 有一些優(yōu)勢。其中之一是擴展性。”Ping 說，“相對于傳統(tǒng) MRAM，STT-MRAM 也有其它優(yōu)勢，因為你讓電流直接穿過了單元。使用這種能量來開關(guān)磁化要更加高效。比磁場驅(qū)動的 MRAM 要更加高效很多。”
關(guān)鍵詞：MRAM
上一篇：ST-MRAM崛起，新存儲時代開啟？
宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
久久超碰人人爱|
国产在线白浆一区二区|
五月丁香AV在线|
久久亚洲男人|
欧美熟女乱伦视频|
一级黄色综合网站|
国产精品综合久久久精品综合蜜臀|
十大性情网站|
原味人妻|
亚洲一二区人妻|
精品无套挺进少妇|
久久精品一区|
久久伊人天堂|
日本精品国产高清流出|
国产3p久久久|
熟女露脸国产大叫高潮|
黑人精品久久久久久av蜜芽|
综合图片专区亚洲|
少妇成人全裸视频|
亚洲av无码专区国产不乱码|
亚洲精品日韩激情在线电影|
极品美女一级毛片免费|
亚洲无吗国产不卡|
亚洲ww精品|
精品无码久久久久久久久果冻糖心
|
人妻avav中文系列久久|
玩弄调教AV在线|
日一匛二区三区|
亚洲影视中文字幕|
99国产精品久久无码|
三级黄网站|
国产一级牛夜福利斤|
国产日韩欧美高清|
日本中文字幕在线观看视频|
精品欧美AⅤ一区二区视频|
亚洲AV无码电影三区四区|
亚洲人妻精品视频免费|
欧美成人精品一区二区综合|
久久这里都是精品老色批|
开心网色五月|
天堂AV影视网|