GlobalFoundries、三星、臺(tái)積電和聯(lián)電計(jì)劃開始提供自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻 RAM（spin-transfer torque magnetoresistive RAM，簡稱 ST-MRAM 或 STT-MRAM）作為 NOR 閃存的替代或 NOR 閃存之外的另一種選擇，也許在今年年底就要開始實(shí)行。這預(yù)示著內(nèi)存市場的將發(fā)生一次巨大轉(zhuǎn)變，因?yàn)楝F(xiàn)在只有 Everspin 在為各種應(yīng)用提供 MRAM 產(chǎn)品，其中包括替代電池供電的 SRAM、寫緩存（write-cache）等等。

 

STT-MRAM 的下一個(gè)大機(jī)會(huì)是嵌入式內(nèi)存 IP 市場。傳統(tǒng)的嵌入式內(nèi)存 NOR 閃存在從 40nm 向 28nm 及以后節(jié)點(diǎn)遷移時(shí)碰到了許多不同的困難。所以這些代工廠對(duì) STT-MRAM 的大力支持會(huì)讓這項(xiàng)技術(shù)成為先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上對(duì)傳統(tǒng)技術(shù)的真正意義上的替代技術(shù)。

 

STT-MRAM 使用電子自旋的磁性來提供芯片的非易失性。它既具備 SRAM 的速度，也有閃存的非易失，更重要的是它還具有近乎無限的耐久性。

 

“嵌入式閃存將還是惡劣環(huán)境中的數(shù)據(jù)存留之王，尤其是對(duì)于汽車和安全應(yīng)用。”GlobalFoundries 嵌入式內(nèi)存副總裁 Dave Eggleston 說，“那是嵌入式閃存還將繼續(xù)發(fā)展的領(lǐng)域。但它的擴(kuò)展性不是很好。隨著你下降到 28nm 或更小的節(jié)點(diǎn)，嵌入式閃存成本就變得昂貴了，并不是一個(gè)理想的選擇”

 

所以現(xiàn)在急需一種新的解決方案，而 STT-MRAM 也剛好為 20 幾納米及以后節(jié)點(diǎn)的嵌入式內(nèi)存應(yīng)用做好了充分的準(zhǔn)備。“在用于物聯(lián)網(wǎng)、汽車、消費(fèi)電子和移動(dòng)設(shè)備的 MCU 和 SoC 上，嵌入式 STT-MRAM 有很大的潛力可以完全替代嵌入式閃存。”Web-Feet Research 首席執(zhí)行官 Alan Niebel，“首先補(bǔ)充然后替代嵌入式 DRAM 和 SRAM 也是 MRAM 的一大機(jī)會(huì)，因?yàn)?MRAM 能為處理器增加持久性的能力。”

 

但是，STT-MRAM 能不能實(shí)現(xiàn)人們期待已久的完全替代 DRAM 的期許呢？這還需要多些時(shí)日觀察。也許這可能永遠(yuǎn)不會(huì)發(fā)生。但是不管怎樣，MRAM 可能最終會(huì)成長為一個(gè)大市場，也可能只是一種利基的解決方案；究竟最后會(huì)怎樣取決于幾個(gè)因素。

 

樂觀的想，也許很快就會(huì)有不止一家供應(yīng)商和一系列應(yīng)用可以使用 STT-MRAM 了。此外，主要代工廠進(jìn)軍 STT-MRAM 領(lǐng)域的舉動(dòng)很可能將會(huì)助力這種技術(shù)實(shí)現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)和成本下降。

 

但這種技術(shù)也面臨著一些難題，因?yàn)椴皇撬写た蛻舳夹枰?22nm 及以后節(jié)點(diǎn)的芯片。而且，STT-MRAM 是一種相對(duì)較新的技術(shù)，客戶還需要一些時(shí)間才能將其整合進(jìn)來。另外也還有各種生產(chǎn)制造方面的難題需要解決。
 

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