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Mobile SDRAM
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低功耗同步動態(tài)隨機(jī)存儲器芯片（Mobile SDRAM）低功耗同步動態(tài)隨機(jī)存儲器芯片（Mobile SDRAM）

較低的功率消耗及多樣的電壓支持選擇(1.8V,2.5V,3.0V)
體積更為縮小(FBGA)
更高的記憶體容量(768M/1G with DDP)
更高的工作速度(Mobile DDR 333Mbps)
jscJSC是一家擁有全球競爭力的專業(yè)移動專業(yè)公司。自從開發(fā)用于移動電話的低功耗SRAM以來，JSC半導(dǎo)體公司成功開發(fā)了移動RAM（CellularRam）和LP DDR SDRAM等新產(chǎn)品。以下產(chǎn)品為Mobile DDR1 SDRAM，屬于低功耗同步動態(tài)隨機(jī)存儲器芯片，產(chǎn)品的容量范圍為128Mb~1Gb，電壓范圍在1.7V~1.95V，速度在166/200MHz,提供90B (8x13x1.0mm)和60B (8x9x1.0mm)兩種封裝形式。我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價比高且實用的產(chǎn)品。
型號 容量 位寬 電壓(V) Option 最大工作頻率 封裝 PDF
JSD1G324PAJ-50x 1Gbit x32 1.7~1.95V mDDR 200MHz 90B (8x13x1.0mm) 聯(lián)系我們
JSD1G164PAH-50x 1Gbit x16 1.7~1.95V mDDR 200MHz 60B (8x9x1.0mm) 聯(lián)系我們
JSD12324PAJ-50x 512Mbit x32 1.7~1.95V mDDR 200MHz 90B (8x13x1.0mm) 聯(lián)系我們
JSDE12164PAH-50x 512Mbit x16 1.7~1.95V mDDR 200MHz 60B (8x9x1.0mm) 聯(lián)系我們
JSD12164PAH-50x 512Mbit x16 1.7~1.95V mDDR 200MHz 60B (8x9x1.0mm) 聯(lián)系我們
JSD56324PAH-50x 256Mbit x32 1.7~1.95V mDDR 200MHz 90B (8x13x1.0mm) 聯(lián)系我們
EMD56164PCH-60x 256Mbit x16 1.7~1.95V mDDR 166MHz 60B (8x9x1.0mm) 聯(lián)系我們
EMD56164PBH-60x 256Mbit x16 1.7~1.95V mDDR 166MHz 60B (8x9x1.0mm) 聯(lián)系我們
EMD28164PCH-60x 128Mbit x16 1.7~1.95V mDDR 166MHz 60B (8x9x1.0mm) 聯(lián)系我們
備注：如需了解更多關(guān)于產(chǎn)品資訊，請聯(lián)系我們 0755-2372 3970，我們竭誠為您服務(wù)。
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