低功耗靜態(tài)存儲器（LOW POWER SRAM）低功耗SRAM芯片作為靜態(tài)隨機(jī)存儲器的一種類別；
特征為功耗低，速度快，一般容量在1/4/8/1616Mbit：
屬于易失性存儲芯片，掉電后數(shù)據(jù)會產(chǎn)生丟失：
主要應(yīng)用于內(nèi)置電池，并對功耗非常敏感的產(chǎn)品，如POS機(jī)，手持設(shè)備等：
低功耗靜態(tài)存儲器（LOW POWER SRAM）
Renesas 瑞薩電子通過完整的半導(dǎo)體解決方案提供值得信賴的嵌入式設(shè)計(jì)創(chuàng)新,使數(shù)十億連接的智能設(shè)備能夠增強(qiáng)人們的安全和安全生活方式,以下產(chǎn)品為低功耗SRAM芯片，屬于靜態(tài)隨機(jī)存儲器芯片，產(chǎn)品的容量范圍為1/4/8/16Mb，常用容量為8Mb，電壓范圍在1.8V/3.3V/5V.，部分器件有寬電壓的電壓范圍，速度在44/55/75ns，產(chǎn)品在選擇速度時(shí)一般以55ns為主。我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價(jià)比高且實(shí)用的產(chǎn)品。| 型號 | 容量 | 位寬 | 封裝 | 存取時(shí)間 | 電壓(V) | 操作溫度 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| R1LP0108ESN-7SI | 1Mb | x 8 | SOP(32) | 70 | 4.5 to 5.5 | -40°C to 85°C | 聯(lián)系我們 |
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| R1LP0108ESF-5SR | 1Mb | x 8 | TSOP(32) | 55 | 4.5 to 5.5 | 0°C to 70°C | 聯(lián)系我們 |
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