富士通半導體MB85RS4MT是一款4Mbit FRAM，在富士通FRAM非易失性存儲器的串行接口系列中具有最高的密度。
 
在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計算的擴展，客戶提出了許多要求，他們更喜歡增加讀/寫周期、縮短數(shù)據(jù)寫入時間和增加內(nèi)存密度。這種產(chǎn)品是一種解決方案，可以滿足對現(xiàn)有EEPROM不滿意的客戶的要求。
 
MB85RS4MT最適合需要實時或頻繁數(shù)據(jù)記錄的各種應用，例如行車/導航記錄器、工業(yè)機器人、計算機數(shù)控(CNC)機床、測量設備、智能儀表和消費設備。
 
富士通半導體4Mbit FRAM產(chǎn)品MB85RS4MT，它在串行外圍接口(SPI)產(chǎn)品FRAM系列中具有最高的密度。富士通FRAM非易失性存儲器產(chǎn)品，具有高讀寫耐久性、高速寫入操作和低功耗等特點。
 
MB85RS4MT鐵電存儲器產(chǎn)品具有保證的10萬億讀/寫周期，大約是競爭性非易失性存儲器EEPROM的1000萬倍。因此保證讀/寫周期限制不會成為客戶產(chǎn)品設計的瓶頸，即使MB85RS4MT用于存儲器以在邊緣計算中頻繁記錄傳感器信息。（圖1）
     
FRAM產(chǎn)品還通過使用無擦除操作的覆蓋序列寫入數(shù)據(jù)來實現(xiàn)高速寫入操作。而傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如EEPROM和閃存）除了正常的寫入操作外，還需要額外的時間進行擦除操作。
 
這種快速寫入操作有助于保護數(shù)據(jù)免受寫入期間突然電壓下降（例如停電）的影響。(圖2)
     
由于MB85RS4MT在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作，因此它可以與其他外圍電子元件在1.8V或3.6V下工作的客戶終端產(chǎn)品一起使用。其工作電流非常小，在1MHz工作時最大工作電流為250μA，最大待機電流為50μA。這意味著，這款FRAM產(chǎn)品具有低功耗的優(yōu)勢，因為它具有低工作電壓和低工作電流。
 
FRAM產(chǎn)品采用行業(yè)標準的8引腳SOP封裝，可輕松替換現(xiàn)有8引腳SOP的EEPROM。這使客戶能夠切換到FRAM產(chǎn)品，而無需對最終產(chǎn)品中的主板進行重大設計更改。代理宇芯電子支持提供樣品測試及解決方案等。


關(guān)鍵詞：串行FRAM  

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