存儲器IC市場一直是動態(tài)的，但是隨著邊緣計算，人工智能（AI），5G和自動駕駛的興起，對存儲器技術的需求正在不斷擴大和發(fā)展。由于持續(xù)的大流行，使工作和商業(yè)領域發(fā)生了巨大變化，而存儲器行業(yè)比以往任何時候都面臨著更多的挑戰(zhàn)，無法一次解決。
 
著眼于多樣化內存技術的發(fā)展以及推動其發(fā)展的因素。內存技術的進步反映了數(shù)據(jù)的爆炸性增長，并且越來越需要將處理移向數(shù)據(jù)。內存和存儲技術處于并行軌道，更多的工作負載在內存中處理。
 
新興存儲器是鐵電RAM（FRAM），它使用鐵電代替介電層來實現(xiàn)非易失性。雖然制造步驟類似于DRAM，但FRAM功能更像閃存。
 
FRAM存儲器可以說是最成功的新興存儲器，因為它已在嵌入式應用程序中取得了進展，并有可能達到更高的密度。大約35年以來，F(xiàn)RAM的非易失性和低功耗是許多應用程序的理想特性，并且利基應用程序很小。
 
例如賽普拉斯-英飛凌提供了適用于汽車和工業(yè)應用的Excelon FRAM低引腳數(shù)，小封裝選項的密度高達8 Mb。Excelon系列是專門為自動駕駛汽車所需的高速，非易失性數(shù)據(jù)記錄而設計的。它還用于醫(yī)療和可穿戴、物聯(lián)網(wǎng)傳感器，工業(yè)和其他高級汽車應用。顯著降低的功耗，數(shù)據(jù)保留能力和抗輻射性使鐵電存儲器芯片成為EEPROM和NOR閃存的可行替代品。植入式醫(yī)療設備必須運行長達十年，這是一個例子。
 
在德國鐵電存儲器公司預見到更高密度，可行的存儲級存儲器。正在探索氧化ha的潛力，以幫助制造該技術所需的更大的晶體管，以實現(xiàn)可以經(jīng)濟高效地制造的更高密度。
 
如果新興的存儲器要成為DRAM和閃存的可行替代方案，那么即使在小眾應用中，控制成本并擴大制造規(guī)模的能力也至關重要。如果制造成本過高，MRAM和ReRAM，F(xiàn)RAM或PCRAM的任何吸引人的特性最終都不重要。甚至3D NAND都經(jīng)歷了成長的煩惱-盡管比其平面前代產(chǎn)品具有許多優(yōu)勢。
 
 
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