數(shù)據(jù)通信和便攜式系統(tǒng)成為當今SRAM的重要應(yīng)用領(lǐng)域。某些SRAM由于能夠提供實現(xiàn)較高帶寬所需的性能(比如在網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中)或維持較長電池使用壽命所需的低功耗(比如在便攜式設(shè)備中)而在許多應(yīng)用中起著主導(dǎo)作用。這些架構(gòu)指的是面向高性能應(yīng)用的NoBL (無總線延遲)和QDR (四倍數(shù)據(jù)速率)以及針對低性能應(yīng)用的MoBL (更長的電池使用壽命)。
 
多年來工藝幾何尺寸的不斷壓縮使得兼顧速度、功耗和密度的新型架構(gòu)的推出成為可能。以CYPRESS為例。不斷縮小的工藝幾何尺寸使得各家公司能夠在存儲器技術(shù)上確立諸多優(yōu)勢，如實現(xiàn)更快的速度、更低的功耗、更高的存儲密度和更有競爭力的制造成本。CYPRESS賽普拉斯代理商宇芯電子代理銷售SRAM芯片,提供產(chǎn)品技術(shù)支持。
 
 
網(wǎng)絡(luò)與數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域競速在當今的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中，分組處理需要極高的存儲帶寬。分組處理所涉及的多項功能再加上其他的存儲功能對SRAM提出了不同的要求。人們已經(jīng)開發(fā)出了所需的SRAM用新型協(xié)議和架構(gòu)，以便對數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)的需要提供支持。
 
目前網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中采用了多種同步快速SRAM架構(gòu)，包括流水線突發(fā)型、直通型、無總線延遲(NoBL) (流水線/直通)型、雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)型SRAM和四倍數(shù)據(jù)速率(QDR)型SRAM等等。同步流水線型和直通型SRAM面市已有很多年了，它們最初是為PC高速緩存應(yīng)用而開發(fā)的?，F(xiàn)今- -般用于低性能網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域，主要目的在于實現(xiàn)成本-效益性。流水線型和直通型SRAM的主要缺陷是其需要在讀寫操作的轉(zhuǎn)換期間插入空閑周期。對于要求進行快速隨機交替讀寫存儲，器存取操作的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用而言，這兩種架構(gòu)的效率不夠高。