Everspin除了是業(yè)內(nèi)首個(gè)批量MRAM供應(yīng)商之外，還擁有并運(yùn)營(yíng)位于亞利桑那州錢德勒的集成磁制造線。Everspin當(dāng)前的產(chǎn)品基于180納米和130納米工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)。產(chǎn)品包裝和測(cè)試業(yè)務(wù)遍及中國(guó)，臺(tái)灣和其他亞洲國(guó)家。
 
Everspin正在向全球領(lǐng)先的客戶運(yùn)送大量MRAM產(chǎn)品。我們擁有成熟的全球供應(yīng)鏈，并致力于最高質(zhì)量和壽命。Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。
 
MR25H10CDC對(duì)于必須使用最少數(shù)量的引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，MR25H10CDC是理想的存儲(chǔ)器。
·提供AEC-Q1001級(jí)合格選項(xiàng)。
·40MHz的讀寫速度，具有無(wú)限的耐力。
·數(shù)據(jù)非易失性，保留20年。
·數(shù)據(jù)保留掉電。
·符合RoHS的軟件包。
 
MR25H10CDC是一個(gè)1,048,576位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）設(shè)備，由131,072個(gè)8位字組成。MR25H10CDC提供串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時(shí)序，沒(méi)有寫延遲和無(wú)限的讀/寫壽命。
 
與其他串行存儲(chǔ)器不同，讀取和寫入都可以在內(nèi)存中隨機(jī)發(fā)生，而寫入之間沒(méi)有延遲。對(duì)于必須使用少量I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，MR25H10CDC是理想的存儲(chǔ)器解決方案。
 
MR25H10CDC提供5mmx6mm 8引腳DFN封裝或5mmx6mm 8引腳DFN小標(biāo)志封裝。兩者均與串行EEPROM，閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。
 
MR25H10CDC可在各種溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。該產(chǎn)品提供工業(yè)（-40°至+85°C）和AEC-Q1001級(jí)（-40°C至+125°C）工作溫度范圍選項(xiàng)。我司宇芯有限公司everspin代理不同容量大小的MRAM存儲(chǔ)芯片.