靈動(dòng)微電子迄今為止已為市場(chǎng)上提供了數(shù)百余的MCU產(chǎn)品及解決方案，滿足客戶的各種產(chǎn)品需求,還可按照客戶需求定制專屬M(fèi)CU產(chǎn)品,直到客戶滿意為止。其景愿是致力于做國(guó)內(nèi)MCU廠商第一人.（靈動(dòng)微MCU部分產(chǎn)品可用于替換并兼容意法半導(dǎo)體MCU.）

下面介紹關(guān)于MM32W0產(chǎn)品規(guī)格說明

ARM內(nèi)核M0核心并內(nèi)嵌閃存和SRAM
ARM的CortexTM-M0處理器是最新一代的嵌入式ARM處理器，它為實(shí)現(xiàn)MCU的需要提供了低成本的平臺(tái)、縮減的引腳數(shù)目、降低的系統(tǒng)功耗，同時(shí)提供卓越的計(jì)算性能和先進(jìn)的中斷系統(tǒng)響應(yīng)。

ARM的CortexTM-M0是32位的RISC處理器，提供額外的代碼效率，在通常8和16位系統(tǒng)的存儲(chǔ)空間上發(fā)揮了ARM內(nèi)核的高性能。

本產(chǎn)品擁有內(nèi)置的ARM核心，因此它與所有的ARM工具和軟件兼容。

1.1.2內(nèi)置閃存存儲(chǔ)器
最大128K字節(jié)的內(nèi)置閃存存儲(chǔ)器，用于存放程序和數(shù)據(jù)。

1.1.3內(nèi)置SRAM
最大8K字節(jié)的內(nèi)置SRAM。

1.1.4嵌套的向量式中斷控制器
本產(chǎn)品內(nèi)置嵌套的向量式中斷控制器，能夠處理多個(gè)可屏蔽中斷通道（不包括16個(gè)Cortex™-M0的中斷線）和16個(gè)可編程優(yōu)先級(jí)。

•緊耦合的NVIC能夠達(dá)到低延遲的中斷響應(yīng)處理
•中斷向量入口地址直接進(jìn)入內(nèi)核
•緊耦合的NVIC接口
•允許中斷的早期處理
•處理晚到的較高優(yōu)先級(jí)中斷
•支持中斷尾部鏈接功能
•自動(dòng)保存處理器狀態(tài)
•中斷返回時(shí)自動(dòng)恢復(fù)，無需額外指令開銷
該模塊以最小的中斷延遲提供靈活的中斷管理功能

1.1.5自舉模式
在啟動(dòng)時(shí)，通過自舉引腳可以選擇三種自舉模式中的一種：
•從程序閃存存儲(chǔ)器自舉
•從系統(tǒng)存儲(chǔ)器自舉
•從內(nèi)部SRAM自舉
自舉加載程序(Bootloader)存放于系統(tǒng)存儲(chǔ)器中，可以通過UART1對(duì)閃存重新編程。

1.1.6供電方案
•VDD=2.3V∼3.6V：VDD引腳為I/O引腳和內(nèi)部調(diào)壓器供電。
•VSSA，VDDA=2.3V∼3.6V：為復(fù)位模塊、振蕩器和PLL的模擬部分提供供電。VDDA和VSSA必須分別連接到VDD和VSS。

1.1.7供電監(jiān)控器
本產(chǎn)品內(nèi)部集成了上電復(fù)位(POR)/掉電復(fù)位(PDR)電路，該電路始終處于工作狀態(tài)，保證系統(tǒng)供電超過1.8V時(shí)工作；當(dāng)VDD低于設(shè)定的閾值(VPOR/PDR)時(shí)，置器件于復(fù)位狀態(tài)，而不必使用外部復(fù)位電路。
器件中還有一個(gè)可編程電壓監(jiān)測(cè)器(PVD)，它監(jiān)視VDD/VDDA供電并與閾值VPVD比較，當(dāng)VDD低于或高于閾值VPVD時(shí)產(chǎn)生中斷，中斷處理程序可以發(fā)出警告信息或?qū)⑽⒖刂破鬓D(zhuǎn)入安全模式。PVD功能需要通過程序開啟。

1.1.8電壓調(diào)壓器
調(diào)壓器將外部電壓轉(zhuǎn)成內(nèi)部數(shù)字邏輯工作的電壓，該調(diào)壓器在復(fù)位后始終處于工作狀態(tài)。

1.1.9低功耗模式
產(chǎn)品支持低功耗模式，可以在要求低功耗、短啟動(dòng)時(shí)間和多種喚醒事件之間達(dá)到最佳的平衡。
 
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