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EverSpin推動MRAM芯片的發(fā)展

來源:宇芯有限公司 日期:2018-01-08 16:43:16

目前EverSpin已簽訂了芯片制造商的全球代理工廠協(xié)議,作為其下一代MRAM(磁阻RAM)的內(nèi)存芯片制造合作伙伴,應扶持優(yōu)秀的技術(shù)走向大規(guī)模生產(chǎn)。MRAM是一種新興的存儲技術(shù),能夠媲美SRAM的快速存儲技術(shù)的速度,它在執(zhí)行相同的功能前提下可以超越閃存芯片以及DRAM的響應速度。存儲芯片行業(yè)未來將大量使用該技術(shù)。
 
MRAM適用于各種各樣的環(huán)境下,如計算機、工業(yè)設(shè)備和近場通信(NFC)技術(shù)。在企業(yè)數(shù)據(jù)中心中使用MRAM可以減少系統(tǒng)停機時間,并簡化系統(tǒng)設(shè)計,降低整體的成本。MRAM設(shè)備還省去了外部元件,如電容器、電阻器、電池和超級電容器的加載。
 
EverSpin的總裁兼首席執(zhí)行官菲爾洛普雷斯蒂表示,新的內(nèi)存技術(shù)已經(jīng)獲得進入市場的資格和業(yè)界認可。他還表示通過研究和開發(fā),我們正在獲得更精細的制作工藝,這將幫助我們加速部署MRAM的發(fā)展。
  
全球鑄造廠將投入生產(chǎn)技術(shù),初步使ST-MRAM(自旋轉(zhuǎn)矩MRAM)上一個40納米生產(chǎn)線300毫米晶圓的芯片。納米測量指的是可以由設(shè)備來生產(chǎn),并且生產(chǎn)線的復雜性的指示的最小特征。同時開始在40納米,MRAM制造交易已經(jīng)有了一個計劃,切換到28納米線,這將會生產(chǎn)出尺寸更小,更節(jié)能的芯片。

關(guān)鍵詞:EverSpin    MRAM

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