儲存型閃存（NAND Flash）供貨吃緊狀況在明年第一季度有望緩解，近期三星等大廠積極轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash制造，但3D NAND Flash生產(chǎn)設(shè)備不能再轉(zhuǎn)回生產(chǎn)DRAM，加上主要DRAM廠還是進(jìn)行節(jié)制性增產(chǎn)， 預(yù)估明年DRAM市場仍將供不應(yīng)求，并成為重要的半導(dǎo)體組件。

 

內(nèi)存業(yè)者強調(diào)，DRAM價格從去年下半年起開始上揚，截至今年第4季已連六季漲價，下季韓系二大廠仍續(xù)漲5%，將創(chuàng)下史上最長漲價紀(jì)錄。

 

反觀NAND Flash明年首季面臨價格回調(diào)壓力，但過往2D NAND Flash市況不好，相關(guān)機臺可以轉(zhuǎn)回生產(chǎn)DRAM，導(dǎo)致DRAM產(chǎn)出大增的問題，但是現(xiàn)在不會再出現(xiàn)這種情況了，對整體DRAM市況來說是件好事。

 

業(yè)界分析，三星等大廠都積極研究3D NAND Flash新技術(shù)，但3D NAND Flash的設(shè)備，不能像以前那樣快速轉(zhuǎn)換生產(chǎn)DRAM，在制程轉(zhuǎn)換難度升高，以及DRAM應(yīng)用端擴大，加上中國大陸目前仍無法取得技術(shù)授權(quán)下， 未來幾年DRAM廠都會維持穩(wěn)定獲利局面。

 

至于韓系大廠擴廠，是否會導(dǎo)致DRAM價格下調(diào)？ 業(yè)者分析，目前三星和SK海力士宣布投入增產(chǎn)的資本支出，大部分會先完成土建等廠房建設(shè)，未來視情況再增加機臺，以目前DRAM的寡占局面，主要大廠仍謹(jǐn)守節(jié)制性增產(chǎn)的原則，維持DRAM業(yè)務(wù)穩(wěn)定獲利，作為在3D NAND Flash爭戰(zhàn)的憑借，因此，DRAM價格下調(diào)的可能性很低。

關(guān)鍵詞：DRAM    3D NAND Flash

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