串行MRAM以40MHz的時鐘速度高速運行，沒有寫延遲。和傳統(tǒng)的EEPROM技術(shù)不同，MRAM允許無限次擦除。容量為256Kb到1Mb，數(shù)據(jù)保存時間長達(dá)20年以上。低電壓保護(hù)電路可在掉電時自動保護(hù)數(shù)據(jù)，防止在規(guī)定電壓范圍以外時寫入數(shù)據(jù)。對于必須永久保存、快速恢復(fù)重要數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，SPI串行總線接口的MARM存儲器是理想的存儲器方案。

特性
 

• 無寫延時

• 無限次可寫

• 數(shù)據(jù)保存時間大于20年

• 掉電數(shù)據(jù)自動保護(hù)

• SPI總線操作速率高達(dá)40 MHz

• 電源電壓范圍：2.7V~3.6V

• 待機電流低至3μA

• 具備工業(yè)級和汽車級的可選溫度范圍

• 小尺寸8引腳DFN封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

• 可直接替代EEPROM、Flash、FRAM


關(guān)鍵詞：MRAM

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