作為追求先進(jìn)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，臺(tái)積電對(duì)新存儲(chǔ)技術(shù)的規(guī)劃如火如荼。畢竟邏輯和存儲(chǔ)是芯片的重要的兩條腿，不能落后。臺(tái)積電正在研究的新型存儲(chǔ)器解決方案主要包括MRAM，RRAM，PCRAM，鐵電RAM等等。近年來，臺(tái)積電積極推進(jìn)內(nèi)嵌式閃存（sFlash)改為MRAM和ReRAM等新的存儲(chǔ)制造。
 
在新型非易失性二進(jìn)制存儲(chǔ)器中，STT-MRAM，SOTMRAM和VCMRAM由于其工作電壓低，速度快，耐久性高，CMOS技術(shù)兼容性特別有吸引力。
 
臺(tái)積電研發(fā)STT-MRAM解決方法主要用于克服嵌入式閃存技術(shù)的擴(kuò)展限制。臺(tái)積電展置入16nm FinFET CMOS工藝的STT-MRAM穩(wěn)定性和抗磁性。
 
臺(tái)積電仍在積極推進(jìn)SOT-MRAM和VC-MRAM，并且與外部研究實(shí)驗(yàn)室、財(cái)團(tuán)和學(xué)術(shù)合作伙伴合作。SOT-MRAM尋找高速(2)ns)二進(jìn)制內(nèi)存解決方案驅(qū)動(dòng)，這種解決方案比傳統(tǒng)的6T-SRAM解決方法的密度要大得多，而且更節(jié)能。

本文關(guān)鍵詞：MRAM,STT-MRAM

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