SRAM要求速度更快而功耗更低，但目前行業(yè)對(duì)于SRAM的研究似乎已經(jīng)進(jìn)入瓶頸期，可能會(huì)影響未來芯片的性能。
 
當(dāng)SRAM晶體管密度沒法繼續(xù)縮小時(shí)，那占據(jù)芯片空間的比例就會(huì)越來越高，這不僅會(huì)增加芯片的制造成本，還可能會(huì)阻止某些微芯片架構(gòu)的研發(fā)。
 
臺(tái)積電SRAM晶體管面積的變化：2015年的16nm制程SRAM面積為0.074平方微米，隨著時(shí)間的推移SRAM面積逐漸縮小，但到2022年幾乎沒有縮小了。
 
臺(tái)積電N5、N3B以及2024開發(fā)的N3E節(jié)點(diǎn)，SRAM面積都趨于平緩了，基本沒有縮小。
 
要是按比例來計(jì)算：16nm制程上SRAM面積占比17.6%，到N5上占比提升到22.5%，到N3上提升到28.6%。也就是說如果業(yè)界無法解決SRAM工藝，那SRAM占據(jù)芯片的面積會(huì)越來越大。
 
當(dāng)SRAM晶體管占據(jù)的面積達(dá)到40%的時(shí)候，就可能嚴(yán)重制約微芯片技術(shù)的發(fā)展，到時(shí)候制造商可能必須得重新設(shè)計(jì)芯片架構(gòu)、成本也會(huì)隨時(shí)暴增。
 

本文關(guān)鍵詞：SRAM

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