三大DRAM制造商已開始量產(chǎn)其首批4800MHz或5600MHz的DDR5組件。預(yù)計DDR5設(shè)備具有D1a或D1α，然而，DDR5 DRAM芯片和單元/外圍設(shè)計看起來還沒有成熟，并且所有第一批DDR5芯片都采用了一些較舊的技術(shù)節(jié)點(diǎn)（設(shè)計規(guī)則），例如三星D1y、美光D1z,和SK海力士D1y。迄今為止，業(yè)界領(lǐng)先的工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)是D1a或D1α。表1顯示了美光、三星和SK海力士發(fā)布的首批DDR5設(shè)備的比較。
 
第一個是TeamGroup ELITE DDR5UDIMM，配備16GB DDR5設(shè)備，其中DDR5 MT60B2G8HB-48B:A芯片由美光（Y32A芯片）制造。第二個是G.SKILL Trident Z5 DDR5內(nèi)存F5-5600U3636C16GX2-TZ5K與三星DDR5K4RAH086VB-BCQK設(shè)備（K4RAH046VBdie）。第三個來自SKHynix，帶有32GB HMCG88MEBUA81N DDR5 UDIMMPC5-4800B模塊（H5CNAG8NMdie）。
 
美光應(yīng)用了他們的M-D1z工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)，而三星和SK海力士采用了D1y單元工藝（S-D1y和H-D1y）。因此，美光(66.26mm2)的DDR5裸片尺寸小于三星(73.58mm2)和SKHynix的(75.21mm2)。
 
與三星和SK海力士相比，美光在DDR5上的單元尺寸和位密度方面有更大的進(jìn)步。事實(shí)上，美光M-D1z工藝技術(shù)比三星和SK海力士的D1y工藝更先進(jìn)，包括15.9nmD/R、poly-Si/TiNcellgate無W材料、更小的有源/WL/BL間距、先進(jìn)的SNLP工藝和SN電容工藝和材料，以及CuMn/Cu金屬工藝。


本文關(guān)鍵詞：DRAM,DDR5 DRAM芯片

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