Cypress FRAM Excelon-Auto CY15V102QN是采用了高級鐵電工藝的汽車級2Mbit非易失性存儲器。鐵電性隨機存取存儲器（即FRAM）是一種非易失性存儲器，它跟RAM一樣，能夠執(zhí)行讀和寫操作。它提供了121年的可靠數(shù)據(jù)保留時間，并解決了串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器所造成的復雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性等問題。
 
與串行閃存和EEPROM不同的是，CY15V102QN以總線速度執(zhí)行寫操作。并不會產(chǎn)生寫延遲。在每個字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷?，?shù)據(jù)立即被寫入到存儲器陣列內(nèi)。這時可以開始執(zhí)行下一個總線周期而不需要輪詢數(shù)據(jù)。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品提供了更多的擦寫次數(shù)。CY15V102QN能夠提供10¹³次的讀/寫周期，或支持比EEPROM多1千萬次的寫周期。由于具有這些特性，因此CY15V102QN非常適用于需要頻繁或快速寫操作的非易失性存儲器應用。示例的范圍包括從數(shù)據(jù)收集（其中寫周期數(shù)量是非常重要的）到滿足工業(yè)級控制（其中串行閃存或EEPROM的較長寫時間會使數(shù)據(jù)丟失）。
 
作為硬件替代時，CY15V102QN為串行EEPROM或閃存的用戶提供極大好處。CY15V102QN使用高速的SPI總線，從而可以改進FRAM技術(shù)的高速寫入能力。該器件包含一個只讀的器件ID和唯一ID特性，通過它們，主機可以確定各器件的制造商、產(chǎn)品容量、產(chǎn)品版本和唯一ID。該器件還提供可寫的8字節(jié)序列號的寄存器，這些寄存器可用于識別特定電路板或系統(tǒng)。
 
性能
■2Mbit鐵電隨機存取存儲器（FRAM）被邏輯組織為256K×8
?提供了十萬億次（10¹³）的讀/寫周期，幾乎為無限次數(shù)的耐久性。
?數(shù)據(jù)保留時間為121年
?NoDelay™寫操作
?高級高可靠性的鐵電工藝
■快速串行外設接口（SPI）
?高達50MHz的頻率
?支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
■精密的寫入保護方案
?使用寫保護（WP）引腳提供硬件保護
?使用寫禁用（WRDI）指令提供軟件保護
?可對1/4、1/2或整個陣列進行軟件模塊保護
■器件ID和序列號
?器件ID包含制造商ID和產(chǎn)品ID
?唯一ID
?序列號
■專用256字節(jié)特殊扇區(qū)FRAM
?專用特殊扇區(qū)寫和讀操作
?存儲的內(nèi)容可以在最多3個標準回流焊周期內(nèi)保持不變
■低功耗
?頻率為40MHz時，有效電流為3.7mA（典型值）
?待機電流為2.7µA（典型值）
?深度掉電模式電流為1.1µA（典型值）
?休眠模式電流為0.1µA（典型值）
■低電壓操作：
?CY15V102QN：VDD=1.71V到1.89V
■汽車級工作溫度：–40℃到+125℃
■符合AEC-Q100一級標準
■8pin小型塑封集成電路（SOIC）封裝
■符合有害物質(zhì)限制標準（RoHS）
 
CY15V102QN是一個串行FRAM存儲器。該存儲器陣列被邏輯組織為262,144×8位，通過使用行業(yè)標準的串行外設接口（SPI）總線可以訪問該存儲器陣列。FRAM同串行閃存和串行EEPROM的功能操作是相同的。CY15V102QN與相同引腳分布的串行閃存或EEPROM的主要區(qū)別在于F-RAM具有更好的寫性能、高耐久性和低功耗。

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