MR25H10MDC是一個1,048,576位磁阻隨機存取存儲器(MRAM)設備，組織為131,072個8位字。MR25H10MDC提供串行EEPROM和串行閃存兼容讀/寫時序，無寫延遲和無限讀/寫耐久性。與其他串行存儲器不同，讀取和寫入都可以在存儲器中隨機發(fā)生，寫入之間沒有延遲。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應用程序，MR25H10MDC是理想的存儲器解決方案。everspin代理宇芯電子提供產(chǎn)品相關技術支持及解決方案。
 
MR25H10MDC采用5mmx6mm8引腳DFN封裝。兩者都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。MR25H10MDC在很寬的溫度范圍內提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。該產(chǎn)品提供AEC-Q1001級（-40°C至+125°C）工作溫度范圍選項。
 
特征
•無寫入延遲
•無限寫入耐久性
•數(shù)據(jù)保留超過20年
•斷電時自動數(shù)據(jù)保護
•塊寫保護
•快速、簡單的SPI接口，時鐘速率高達40MHz
•2.7至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)溫度
•提供8針DFN RoHS兼容
•直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM
•AEC-Q1001級選項
 
器件引腳分配
 
MR25H10MDC是一個串行MRAM，內存陣列邏輯組織為128Kx8，使用串行外圍接口(SPI)的片選(CS)、串行輸入(SI)、串行輸出(SO)和串行時鐘(SCK)四個引腳接口公共汽車。串行MRAM實現(xiàn)了當今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進行互操作。與可用的串行存儲器替代品相比，串行MRAM提供卓越的寫入速度、無限的耐用性、低待機和操作功率以及更可靠的數(shù)據(jù)保留。

 
系統(tǒng)配置
單個或多個設備可以連接到總線，如圖所示。引腳SCK、SO和SI在器件中是通用的。每個器件都需要單獨驅動CS和HOLD引腳。