Nand Flash是一種非易失性存儲(chǔ)芯片，具有存儲(chǔ)容量大和寫入/擦除速度快等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電子資料存儲(chǔ)和通訊設(shè)備、消費(fèi)電子及汽車電子等領(lǐng)域。國(guó)外廠商三星電子、海力士等憑借先發(fā)優(yōu)勢(shì)以及在終端市場(chǎng)建立的品牌優(yōu)勢(shì)，在Nand Flash市場(chǎng)建立了自身優(yōu)勢(shì)。
 
Nand Flash需求端方面，隨著信息技術(shù)的創(chuàng)新革命，以移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算和物聯(lián)網(wǎng)為代表的新一代信息技術(shù)發(fā)展正在推動(dòng)信息產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，對(duì)海量數(shù)據(jù)的處理、存儲(chǔ)提出了越來越高的要求。Nand Flash具有更大的存儲(chǔ)容量和更高的擦寫速度，是實(shí)現(xiàn)海量存儲(chǔ)的核心，已經(jīng)成為大容量存儲(chǔ)的主要選擇。當(dāng)前階段，Nand Flash市場(chǎng)的發(fā)展主要受到智能手機(jī)和平板電腦需求的驅(qū)動(dòng)。相對(duì)于機(jī)械硬盤等傳統(tǒng)存儲(chǔ)介質(zhì)，采用Nand Flash芯片的SD卡、固態(tài)硬盤等存儲(chǔ)裝置沒有機(jī)械結(jié)構(gòu)，無噪音、壽命長(zhǎng)、功耗低、可靠性高、體積小、讀寫速度快、工作溫度范圍廣，是未來大容量存儲(chǔ)的發(fā)展方向。隨著大數(shù)據(jù)時(shí)代的到來，Nand Flash芯片將在未來得到巨大發(fā)展。
 
Nand Flash供給端方面，三星電子、東芝、海力士、美光科技四家企業(yè)，均為IDM供應(yīng)商，占有了全球市場(chǎng)絕大部分的Nand Flash 芯片市場(chǎng)，但其投入集中在大容量的3D NAND產(chǎn)品方向。與3D NAND不同的是，在中小容量SLC NAND領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)外主流工藝節(jié)點(diǎn)差距較小，國(guó)際大廠工藝先進(jìn)的優(yōu)勢(shì)無法得到充分發(fā)揮，有利于國(guó)內(nèi)Fabless廠商的切入。國(guó)內(nèi)Fabless廠商通過產(chǎn)品差異化布局在局部應(yīng)用取得領(lǐng)先，實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。


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