今天介紹Everspin的MR25H40非易失性存儲器MRAM如何在RIM的三相智能電表中提供強大的系統(tǒng)存儲優(yōu)勢。
 
Everspin的4Mbit MR25H40 MRAM專為需要數(shù)據(jù)完整性，內(nèi)存可靠性和低能耗的強大環(huán)境而設(shè)計，其系統(tǒng)具有快速，對稱的讀/寫性能和無限的耐用性。這些優(yōu)勢使RIM的三相智能電表能夠快速，頻繁且即時地非易失性存儲關(guān)鍵電表數(shù)據(jù)。在斷電或篡改的情況下，RIM系統(tǒng)能夠立即將關(guān)鍵數(shù)據(jù)保存并保護到MRAM，而無需外部電池或超級電容器。因此在重新啟動或授權(quán)訪問RIM儀表后，可以立即恢復(fù)或顯示儀表的最后狀態(tài)以確保操作的連續(xù)性。 RIM三相智能電表在俄羅斯獲得GOST 52320-2005認證，已指定在惡劣環(huán)境中部署30年，具有自我診斷能力，并能抵御氣候，機械和電磁影響。
 
RIM首席技術(shù)官說：“ Everspin是幫助我們提供具有高數(shù)據(jù)完整性的智能電表的關(guān)鍵供應(yīng)商。 Everspin的高性能非易失性MRAM簡化了我們的設(shè)計，并為我們的用戶提供了一個強大而值得信賴的平臺，使您可以放心，當我們的產(chǎn)品部署在不可預(yù)測的環(huán)境中時，其計量數(shù)據(jù)是安全的。”
 
Everspin MRAM市場營銷表示：“我們的使命是提供能夠為客戶提供各自市場競爭優(yōu)勢的內(nèi)存解決方案，我們很高興RIM的支持MRAM的智能電表取得了巨大的成功。 Everspin的MRAM存儲器為能源市場帶來了關(guān)鍵優(yōu)勢，包括無限使用，即時數(shù)據(jù)完整性以及對系統(tǒng)范圍的防篡改的支持。”
 
Everspin的4兆MR25H40 MRAM具有標準的串行外圍設(shè)備接口（SPI），并已通過標準的8引腳DFN封裝全面投入生產(chǎn)。由于實現(xiàn)了MR25H40并像異步SRAM一樣執(zhí)行讀/寫操作，因此MRAM產(chǎn)品可以放入幾乎任何標準的8引腳SPI接口SOIC或DFN插座中，而無軟件開銷。Everspin代理宇芯電子支持提供技術(shù)相關(guān)支持。


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