最近的ISSCC上，臺積電的研究人員提出了一種基于數(shù)字改良的SRAM設(shè)計(jì)存內(nèi)計(jì)算方案，能支持更大的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò).
   
上圖顯示了臺積電用于其測試的擴(kuò)展SRAM陣列配置——陣列的一部分被圈出。每個(gè)切片具有256個(gè)數(shù)據(jù)輸入，它們連接到“ X”邏輯（稍后將對此邏輯進(jìn)行更多介紹）。數(shù)據(jù)輸入向量的連續(xù)位在連續(xù)的時(shí)鐘周期中提供給“ X”門。每個(gè)切片存儲256個(gè)4位權(quán)重段，每個(gè)數(shù)據(jù)輸入一個(gè)權(quán)重半字節(jié)。這些權(quán)重位使用常規(guī)的SRAM單元，因?yàn)樗鼈兛赡軙?jīng)常更新。存儲在每個(gè)權(quán)重位中的值連接到“ X”邏輯的另一個(gè)輸入。
 
下圖說明了如何將此邏輯集成到SRAM中

 
其中“ X”是2輸入或非門，具有數(shù)據(jù)輸入和權(quán)重位作為輸入。（兩個(gè)“一位”值的乘積由“與”門實(shí)現(xiàn)；通過使用反相信號值和DeMorgan定理，2輸入“或非”門在面積和功率方面都具有效率。）在每個(gè)限幅之間，有一個(gè)加法器樹和一個(gè)加法器樹。集成了部分和累加器邏輯，如下圖所示。

 
上圖中的加權(quán)位存儲使用常規(guī)的SRAM拓?fù)?對于6T的位單元，加權(quán)位字線和位線照常連接。每個(gè)單元上的存儲值都扇出到或非門的一個(gè)輸入。
 
每個(gè)切片的輸出表示每個(gè)權(quán)重向量的半字節(jié)的部分乘積和。擴(kuò)展數(shù)組之外的其他邏輯提供了移位和相加計(jì)算，以實(shí)現(xiàn)更寬的權(quán)重值表示。例如（有符號或無符號整數(shù)）16位權(quán)重將合并來自四個(gè)條帶的累加器結(jié)果。

關(guān)鍵詞：SRAM   擴(kuò)展SRAM 宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。