SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。SRAM具有較高的性能，功耗較小。SRAM主要用于二級高速緩存。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存。
 
SRAM存儲原理
SRAM采用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來作存儲元件，不存在電容的刷新問題，只要電源正常供電，觸發(fā)器就能穩(wěn)定地存儲數(shù)據(jù)，因此稱為靜態(tài)隨機(jī)存取儲存器。其存儲單元的每一位都是由雙穩(wěn)觸發(fā)器和選通門電路組成的;而整個(gè)存儲器由存儲單元組成的陣列和控制電路組成。
 
SRAM特點(diǎn)
連接使用方便(不需要刷新電路)、工作穩(wěn)定、存取速度快(約為動態(tài)隨機(jī)存取儲存器DRAM的3~5倍)、使用簡單;
由于每一位的存儲，都用好幾個(gè)晶體管，因此單片的存儲容量不易做得很高，集成度較低且價(jià)格較貴;由于價(jià)格相對較高，計(jì)算機(jī)主存用得很少，主要用作高速緩沖存儲器(Cache)。
 
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單,每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來處理，相比之下在SRAM存儲芯片上一個(gè)bit通常需要六個(gè)晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。
 
DRAM存儲原理
DRAM的每一位存儲單元采用一個(gè)晶體管和小電容來實(shí)現(xiàn)。若寫入位為“1”，則電容被充電:若寫入位為“0”，則電容不被充電。讀出時(shí)用晶體管來讀與之相連的電容的電荷狀態(tài)。若電容被充電，則該位為“1”;若電容沒有被充電，則該位為“O”。
 
DRAM特點(diǎn)
由于每個(gè)存儲位僅用一個(gè)晶體管和小電容，因此集成度比較高。就單個(gè)芯片的存儲容量而言，DRAM可以遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過SRAM;就相同容量的芯片而言，DRAM的價(jià)格也大大低于SRAM。這兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)使DRAM成為計(jì)算機(jī)內(nèi)存的主要角色。DRAM的行列地址分時(shí)復(fù)用控制和需要刷新控制，使得它比SRAM的接口要復(fù)雜一些。DRAM的存取速度一般比SRAM要慢。
 
總結(jié)一下：
SRAM成本比較高
DRAM成本較低（1個(gè)場效應(yīng)管加一個(gè)電容）
SRAM存取速度比較快
DRAM存取速度較慢（電容充放電時(shí)間）
SRAM一般用在高速緩存中
DRAM一般用在內(nèi)存條里
   
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