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新型存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器介質(zhì)特性對(duì)比
來源：宇芯有限公司 日期：2020-04-23 10:07:22
目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器ReRAM，目前暫無商用產(chǎn)品，其代表公司是美國(guó)的Crossbar。
上述新型存儲(chǔ)器已被研究了近數(shù)十年，只是相對(duì)于早已產(chǎn)業(yè)化的隨機(jī)存儲(chǔ)sram、DRAM存儲(chǔ)器、和NAND Flash，還未能大規(guī)模商用。存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)未來的技術(shù)發(fā)展方向仍是未知數(shù)。
在非易失性MRAM存儲(chǔ)器方面，Everspin MRAM已經(jīng)有產(chǎn)品應(yīng)用于航空航天等特定領(lǐng)域，并于2019年開始與格芯合作，試生產(chǎn)28nm制程的1Gb STT-MRAM產(chǎn)品。ReRAM存儲(chǔ)器仍然尚未商用，初創(chuàng)公司如Crossbar則正致力于其產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程。
當(dāng)前的新型存儲(chǔ)器尚不具備替代DRAM芯片或Nand閃存的能力，市場(chǎng)主要集中于低延遲存儲(chǔ)與持久內(nèi)存。分別比較3種存儲(chǔ)的介質(zhì)特性如下表所示。
MRAM具有最好的讀寫速率和使用壽命，從理論上有機(jī)會(huì)替代現(xiàn)在的內(nèi)存芯片和外存，但是由于涉及量子隧穿效應(yīng)，大規(guī)模制造難以保證均一性，存儲(chǔ)容量和良率爬坡緩慢。在工藝取得進(jìn)一步突破之前，宇芯電子代理的Everspin MRAM芯片的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域。
Everspin STT-MRAM 1Gb
關(guān)鍵詞：新型存儲(chǔ)器MRAM MRAM
宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國(guó)內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。
上述新型存儲(chǔ)器已被研究了近數(shù)十年，只是相對(duì)于早已產(chǎn)業(yè)化的隨機(jī)存儲(chǔ)sram、DRAM存儲(chǔ)器、和NAND Flash，還未能大規(guī)模商用。存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)未來的技術(shù)發(fā)展方向仍是未知數(shù)。
在非易失性MRAM存儲(chǔ)器方面，Everspin MRAM已經(jīng)有產(chǎn)品應(yīng)用于航空航天等特定領(lǐng)域，并于2019年開始與格芯合作，試生產(chǎn)28nm制程的1Gb STT-MRAM產(chǎn)品。ReRAM存儲(chǔ)器仍然尚未商用，初創(chuàng)公司如Crossbar則正致力于其產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程。
當(dāng)前的新型存儲(chǔ)器尚不具備替代DRAM芯片或Nand閃存的能力，市場(chǎng)主要集中于低延遲存儲(chǔ)與持久內(nèi)存。分別比較3種存儲(chǔ)的介質(zhì)特性如下表所示。
表 新型存儲(chǔ)及傳統(tǒng)存儲(chǔ)特性對(duì)比
MRAM具有最好的讀寫速率和使用壽命，從理論上有機(jī)會(huì)替代現(xiàn)在的內(nèi)存芯片和外存，但是由于涉及量子隧穿效應(yīng)，大規(guī)模制造難以保證均一性，存儲(chǔ)容量和良率爬坡緩慢。在工藝取得進(jìn)一步突破之前，宇芯電子代理的Everspin MRAM芯片的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域。
Everspin STT-MRAM 1Gb
| Density | Org. | Part Number | Speed | Temp Rating | Package | Pack/Ship |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1Gb | -- | EMD4E001G08G2-150CAS2 | 667MHz | Commercial | 78-BGA | Tray |
| 1Gb | -- | EMD4E001G08G2-150CAS2R | 667MHz | Commercial | 78-BGA | Tape & Reel |
| 1Gb | -- | EMD4E001G16G2-150CAS2 | 667MHz | Commercial | 96-BGA | Tray |
| 1Gb | -- | EMD4E001G16G2-150CAS2R | 667MHz | Commercial | 96-BGA | Tape & Reel |
| 1Gb | 128Mb x8 | EMD4E001G08G1-150CAS1 | 667MHz | Commercial | 78-BGA | Tray |
| 1Gb | 128Mb x8 | EMD4E001G08G1-150CAS1 | 667MHz | Commercial | 78-BGA | Tape & Reel |
| 1Gb | 64Mb x16 | EMD4E001G16G2-150CAS1 | 667MHz | Commercial | 96-BGA | Tray |
| 1Gb | 64Mb x16 | EMD4E001G16G2-150CAS1R | 667MHz | Commercial | 96-BGA | Tape & Reel |
關(guān)鍵詞：新型存儲(chǔ)器MRAM MRAM
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