FRAM鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電存儲(chǔ)器。FRAM能保持?jǐn)?shù)據(jù)，不僅不需要備用電池，而且在寫入、讀寫耐久性和功耗性能方面具有相當(dāng)優(yōu)越性。
 
FRAM產(chǎn)品可分為兩個(gè)系列。分別是以SOP/SON等封裝產(chǎn)品形式提供的“獨(dú)立存儲(chǔ)器”和FRAM內(nèi)置的RFID用LSI以及驗(yàn)證LSI等的“FRAM內(nèi)置LSI”。
 
根據(jù)客戶要求開發(fā)和供應(yīng)最大限度發(fā)揮應(yīng)用優(yōu)勢(shì)及性能的FRAM內(nèi)置定制LSI。
 
富士通開發(fā)出了能夠以54Mbyte/秒的速度傳輸數(shù)據(jù)。在Quad SPI接口非易失性RAM市場(chǎng)里最大容量的MB85RQ4ML 4Mbit FRAM。

     
MB85RQ4ML是采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元的FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）芯片，配置為524,28個(gè)8字X 8位。采用四路串行外設(shè)接口（QSPI），可使用四個(gè)雙向引腳（四路I / O）實(shí)現(xiàn)高帶寬，例如以54 MB/s的速度進(jìn)行讀寫。
 
MB85RQ4ML能夠保留數(shù)據(jù)，而無(wú)需使用SRAM所需的備用電池。能夠在沒有任何等待時(shí)間的情況下以高帶寬寫入數(shù)據(jù)，并且非常適合網(wǎng)絡(luò)，游戲，工業(yè)計(jì)算，相機(jī)，RAID控制器
 
MB85RQ4ML采用1.8V的獨(dú)立電源，Quad SPI接口，并以108MHz的動(dòng)作頻率實(shí)現(xiàn)了54Mbyte/秒的數(shù)據(jù)傳輸。在富士通的傳統(tǒng)產(chǎn)品中，具有16bit輸入輸出引腳的44引腳的并行接口的4Mbit FRAM的最快，為13Mbyte/秒，而本產(chǎn)品以較少的引腳實(shí)現(xiàn)了相當(dāng)于4倍速度的數(shù)據(jù)讀寫。
 
因?yàn)榫哂懈咚賱?dòng)作及非易失性的特點(diǎn)，所以MB85RQ4ML成為網(wǎng)絡(luò)、RAID控制器、工業(yè)計(jì)算領(lǐng)域的最佳選擇。
 

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