MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。MRAM技術(shù)仍遠(yuǎn)未實(shí)現(xiàn)其潛力，但截至2020年初，市場(chǎng)上有從很小的MRAM到1Gb芯片的MRAM芯片，并且公司正在將該技術(shù)用于許多應(yīng)用。
 
雖然有了這么多的論文和研究成果，但是目前并沒(méi)有MRAM實(shí)際產(chǎn)品制造出來(lái)。
 
另一個(gè)有趣的問(wèn)題就是MRAM保存數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性，熱穩(wěn)定性毫無(wú)疑問(wèn)會(huì)影響數(shù)據(jù)的保留期限，溫度越高就越不穩(wěn)定，這就需要平衡數(shù)據(jù)保存的期限。
 
一般的半導(dǎo)體數(shù)據(jù)保存期限是10年，為此需要1bit或者2bit的ECC校驗(yàn)單元，而sram緩存上已經(jīng)集成了ECC功能，從這點(diǎn)上來(lái)看沒(méi)有增加成本，是一種合適的選擇。
 
Intel指出做緩存的情況下，半導(dǎo)體保存數(shù)據(jù)的期限遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)必要達(dá)到10年這么高，可以適當(dāng)降低熱穩(wěn)定性要求，這一點(diǎn)是非常重要的，甚至一個(gè)月的時(shí)間都太長(zhǎng)了，能保持?jǐn)?shù)據(jù)2周就可以了。

 
考慮到MRAM寫(xiě)入速度較低的缺點(diǎn)，降低熱穩(wěn)定性要求其實(shí)是好事一件，因?yàn)樗赡芨淖僊RAM的存儲(chǔ)單元，帶來(lái)提高數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度的可能，使得MRAM更加適合緩存的要求。

關(guān)鍵詞：MRAM