ISSI IS61/64WV25616LEBLL是高速，低功耗4M位鎖存的靜態(tài)RAM，組織為256K字乘以16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的，并實(shí)現(xiàn)了ECC功能以提高可靠性。
 
我們高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)（包括ECC）（SEC-DED：?jiǎn)五e(cuò)誤校正-雙錯(cuò)誤檢測(cè)），可提供高性能和高度可靠的SRAM設(shè)備。
 
當(dāng)CS＃為高電平（取消選擇）時(shí)，器件將進(jìn)入待機(jī)模式，在該模式下，可以通過(guò)CMOS輸入電平降低功耗。特別是在ZZ＃低的貪睡模式下的超低待機(jī)功率。
 
ALE＃引腳使能ALE＃輸入為低電平來(lái)鎖存地址和CS＃信號(hào)當(dāng)ALE＃為高電平時(shí)，地址和CS＃鎖存器處于透明狀態(tài)。如果ALE＃設(shè)置為高電平，則該器件可用作異步SRAM。
 
當(dāng)ALE＃為低電平時(shí)，地址和CS＃鎖存器處于鎖存狀態(tài)。
 
該輸入鎖存器以簡(jiǎn)單的方式保證了地址保持時(shí)間，從而簡(jiǎn)化了讀寫(xiě)周期。
 
IS61/64WV25616LEBLL封裝在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的48引腳微型BGA（6mmx8mm）和44引腳TSOP（TYPEII）中。
主要特征：
•高速訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間：12ns，15ns
•單電源
–2.4V-3.6V VDD
•具有ZZ＃引腳的超低待機(jī)電流
-IZZ = 125°C時(shí)為80uA
•每個(gè)人的錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正
8位（字節(jié)），帶有可選的ERR1 / ERR2輸出引腳：
-ERR1引腳指示1位錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正。
-ERR2引腳指示多位錯(cuò)誤檢測(cè)
•ALE＃引腳用于鎖存地址和CS＃信號(hào)。
•工業(yè)和汽車(chē)溫度支持
•無(wú)鉛

ISSI 4Mbit SRAM型號(hào)表

型號(hào)	容量	位寬	電壓	速度
IS62WV5128DBLL	4Mb	512K x 8	2.3V – 3.6V	35, 45, 55 ns
IS62WV5128DALL	4Mb	512K x 8	1.65V – 2.2V	35, 45, 55 ns
IS62WV5128ALL/BLL	4Mb	512Kx8	1.65-3.6V	55,70
IS62WV5128EALL/EBLL/ECLL	4Mb	512Kx8	1.65-3.6V	35,45,55
IS62C5128BL	4Mb	512Kx8	5V	45
IS62WV5128DALL/DBLL	4Mb	512Kx8	1.65-3.6V	45,55
IS62WV25616EALL/EBLL/ECLL	4Mb	256Kx16	1.65-3.6V	35,45,55
IS62WV25616ALL/BLL	4Mb	256Kx16	1.65-3.6V	55,70
IS62C25616BL	4Mb	256Kx16	5V	45
IS65WV5128DBLL	4Mb	512K x 8	2.3V – 3.6V	35, 45, 55 ns
IS65WV5128DALL	4Mb	512K x 8	1.65V – 2.2V	35, 45, 55 ns

關(guān)鍵詞：SRAM