存儲器缺貨 產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)失衡
來源：宇芯有限公司 日期：2017-10-31 15:06:53
存儲器作為電腦、智能手機(jī)、智能手表等終端產(chǎn)品必不可少的元器件之一，它的缺貨將會導(dǎo)致整個產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)失衡，終端產(chǎn)品也將面臨著無貨可用的局面。加之下半年又是終端產(chǎn)品上市的高峰期，對于核心元器件的需求將會更大。具有話語權(quán)的行業(yè)代表企業(yè)將首先獲得產(chǎn)能配額，小品牌可能回面臨產(chǎn)品延期的窘境。
據(jù)業(yè)者預(yù)測，此次存儲器市場“漲”勢將持續(xù)至2019年，未來一兩年內(nèi)勢必有部分廠商順勢而起，加大對存儲器產(chǎn)品的投產(chǎn)，市場也會逐漸恢復(fù)正常。
全球存儲器市場瞬息萬變，中國作為終端產(chǎn)品消費(fèi)大國，自然也免不了遭受影響。為此，國內(nèi)存儲器相關(guān)企業(yè)動作頻頻，在外部供應(yīng)不足的情況下，積極加大投資或釋放產(chǎn)能，以期填補(bǔ)供應(yīng)鏈缺口，進(jìn)一步擴(kuò)大市場份額。
前不久，紫光宣布投資300億美元在南京建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，主要生產(chǎn)NAND FLASH、DRAM存儲芯片等。據(jù)了解，這個工廠建成后將是迄今為止中國規(guī)模最大的芯片制造廠，預(yù)計(jì)月產(chǎn)能將達(dá)10萬片。
今年年初，中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM(非易失性阻變式存儲器)芯片，此類芯片密度比DRAM內(nèi)存高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，且性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于DRAM。由此可見，中芯國際對于存儲器市場早已勢在必得。
與此同時，長江存儲、福建晉華、合肥長鑫等企業(yè)也不甘示弱，紛紛緊鑼密鼓地建設(shè)存儲器芯片廠，預(yù)計(jì)最快的明年便能投產(chǎn)。
作為消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)核心元器件，存儲芯片受制于人并不是長久之計(jì)。市場上，存儲器產(chǎn)品的供不應(yīng)求也為國產(chǎn)化提供了契機(jī)，企業(yè)應(yīng)該抓住機(jī)遇實(shí)現(xiàn)自主化生產(chǎn)，從而擺脫進(jìn)口的依賴，提升競爭實(shí)力。
關(guān)鍵詞：
NAND FLASH DRAM
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