EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結構。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結構，所以可以單元讀/寫。技術上，F(xiàn)LASH是結合EPROM和EEPROM技術達到的，很多FLASH使用雪崩熱電子注入方式來編程，擦除和EEPROM一樣用 Fowler-Nordheim tuneling。但主要的不同是，F(xiàn)LASH對芯片提供大塊或整塊的擦除，這就降低了設計的復雜性，它可以不要 EEPROM單元里那個多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮柵工藝上也不同，寫入速度更快。 其實對于用戶來說，EEPROM和FLASH 的最主要的區(qū)別就是：