磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）技術(shù)持續(xù)演進(jìn)。這種技術(shù)基于隧穿磁阻效應(yīng)，利用磁性材料的磁阻特性來(lái)保存數(shù)據(jù)，它具備非易失性、高速讀寫(xiě)以及無(wú)限次擦寫(xiě)等優(yōu)點(diǎn)。隨著技術(shù)的持續(xù)革新，MRAM的存儲(chǔ)密度和性能得到提升，成本逐漸下降，預(yù)示著它將在未來(lái)的存儲(chǔ)市場(chǎng)中占據(jù)重要地位。
 
  目前，主流的MRAM技術(shù)是STT MRAM，它通過(guò)隧道層的“巨磁阻效應(yīng)”來(lái)讀取位單元。當(dāng)隧道層兩側(cè)的磁性方向一致時(shí)，電阻較低；而當(dāng)磁性方向相反時(shí)，電阻顯著增加。
 
  同時(shí)，基于自旋軌道扭矩（SOT）的磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）技術(shù)也在持續(xù)取得突破。德國(guó)美因茨約翰內(nèi)斯古騰堡大學(xué)（JGU）的研究團(tuán)隊(duì)與法國(guó)Antaios公司攜手合作，利用軌道霍爾效應(yīng)，開(kāi)發(fā)出了一種創(chuàng)新的SOT-MRAM。
 
  這項(xiàng)SOT-MRAM技術(shù)在寫(xiě)入電流和能效比方面實(shí)現(xiàn)了雙重突破。通過(guò)軌道霍爾效應(yīng)，該技術(shù)將寫(xiě)入電流減少了20%，能效比提高了30%，同時(shí)保證了數(shù)據(jù)的十年以上保存期。
 
  與傳統(tǒng)SOT-MRAM依賴于強(qiáng)自旋軌道耦合的金屬材料（如鉑和鎢）不同，這項(xiàng)技術(shù)通過(guò)軌道霍爾效應(yīng)將電荷電流轉(zhuǎn)換為軌道電流，從而避免了對(duì)稀有和昂貴材料的依賴，降低了生產(chǎn)成本。其非易失性和低功耗特性，使其特別適合應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心和高性能計(jì)算等領(lǐng)域。在數(shù)據(jù)中心，大量數(shù)據(jù)需要快速存儲(chǔ)和讀取，同時(shí)對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性要求極高。新型SOT-MRAM的出現(xiàn)為滿足數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)需求提供了新的解決方案。


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