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調(diào)漲Nand Flash價(jià)格或?qū)⒗瓌?dòng)閃存市價(jià)上漲
由于西部數(shù)據(jù)與鎧俠日本合資工廠受原料污染沖擊產(chǎn)能,影響2022年Q1及Q2兩季3 7%及全年1 7%產(chǎn)能。扣除損失部分,西部數(shù)據(jù)與鎧俠產(chǎn)出成長(zhǎng)率將
2022-02-18
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富士通三種8Mbit FRAM產(chǎn)品能滿足客戶需求
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案為客戶提供以鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)為中心的存儲(chǔ)器產(chǎn)品和各種解決方案,這是一種高質(zhì)量和高可靠性的非易失性
2022-02-15
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國產(chǎn)存儲(chǔ)外部SRAM芯片EMI7064
外部SRAM作為執(zhí)行存儲(chǔ)器為無緩存的CPU工作時(shí)表現(xiàn)相對(duì)良好。當(dāng)CPU沒有緩存來緩沖其它種類存儲(chǔ)器的高反應(yīng)時(shí)間時(shí),外部SRAM的低反映時(shí)間特性有
2022-02-11
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國產(chǎn)SPI SRAM存儲(chǔ)器EMI7064MSMI
我司宇芯電子介紹一款可用于數(shù)據(jù)采集或信號(hào)處理過程的緩沖,MCU遠(yuǎn)程升級(jí)的數(shù)據(jù)備份和緩存等等的國產(chǎn)SPI SRAM存儲(chǔ)器,EMI7064MSMI是一款具有
2022-01-26
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基于靈動(dòng)微電子MM32F0133C6P微控制器的OBD診斷儀系統(tǒng)參考方案
已經(jīng)在MCU領(lǐng)域探索10年的靈動(dòng)微電子在產(chǎn)品磨合上已經(jīng)積累了相當(dāng)?shù)慕?jīng)驗(yàn)和教訓(xùn),現(xiàn)正迎來智能家電和汽車電子市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的發(fā)展機(jī)遇。靈動(dòng)微
2022-01-24
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SOT-MRAM與閃存和NAND的對(duì)比
在新的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)時(shí)代,另一種變體即將加入競(jìng)爭(zhēng)——稱為自旋軌道扭矩或SOT-MRAM的新版本MRAM。有朝一日可能取代片上系統(tǒng)(SoC)
2022-01-19
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